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論文

Pressure effects on the first-order transition temperatures of Cu$$_{4}$$SnS$$_{4}$$ and Cu$$_{8}$$GeS$$_{6}$$

小沢 国夫; 安西 修一郎*

Solid State Physics Under Pressure, p.269 - 274, 1985/00

Cu$$_{4}$$SnS$$_{4}$$ 及び Cu$$_{8}$$GeS$$_{6}$$ は昇温過程で232°K及び328°Kで前者は高抵抗相へ各々1次の変位型構造転移を行い、且つ,dp/dT$$<$$0の電気特性を示す半導体的物質である事を常圧下で明にした。更に比等物質の転移点の圧力効果を8Kbar迄電気抵抗及び示差熱法で測定し、各々dT/dPの値として-9.4°K/Kbar及び+2.9°K/Kbarの異符号の効果を示す値を得て、その機構を推論した。転移機構として、格子歪とCu$$^{+}$$キャリヤイオンの解離をパラメータとして,ギプス自由エネルギーを考慮して説明出来た。即ち Cu$$_{4}$$SnS$$_{4}$$ では格子歪がCu$$^{+}$$キャリヤイオンの熱解離をさまたげ、一方 Cu$$_{8}$$GeS$$_{6}$$ では解離を促進していると結論した。

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